電光相位調(diào)制器(EOP),按照驅(qū)動頻率可分為高頻和低頻兩類:低頻型號廣泛應用于PDH穩(wěn)頻等低頻調(diào)制需求;高頻型號適用于量子物理和原子分子物理實驗等場景。我們的電光調(diào)制器具有優(yōu)秀的性能和可靠性,可廣泛應用于科學研究、工程應用和工業(yè)生產(chǎn)中,為客戶提供高效、可靠的光學解決方案。
產(chǎn)品特點:
寬帶寬范圍:高頻型號微波頻率帶寬約35MHz,低頻型號帶寬約中心頻率/10
高微波品質(zhì)因子:Q值大于200
低驅(qū)動電壓:微波驅(qū)動功率低,1rad所需微波功率典型值約23~27dBm
覆蓋波長:覆蓋紫外波長369nm到紅外波長1550nm
高光功率密度損傷閾值:~3W/mm2@780nm
高線性度:具有優(yōu)異的線性度和穩(wěn)定性,保證高質(zhì)量的信號調(diào)制
可定制化:支持定制化設計,滿足不同應用場景的需求
應用領(lǐng)域:
激光干涉
光學頻率梳
激光穩(wěn)頻
原子冷卻
量子態(tài)控制
主要參數(shù):
參數(shù) | 典型數(shù)值 | 單位 |
共振頻率f0@24℃ | 3.07 | GHz |
頻率帶寬Δf | 6.5 | MHz |
品質(zhì)因子Q | 473 | / |
1rad所需微波功率 | 34.4(±1) | dBm |
Max. 微波功率 | 5 | W |
通光孔徑(直徑) | 1 | mm |
波前畸變@633nm | λ/6 | nm |
Max. 光功率密度@370nm | 3 | W/mm2 |
增透膜波長 | 650-1100 | nm |
切角角度 | 5 | degree |
晶體類型 | 鈮酸鋰(LN) |
尺寸圖:
調(diào)制特性:
β = 0.85 rad | 功率P(dBm) | 功率P(W) | 電壓Vp(V) | β/U (rad/V) |
λ1=935nm | 33.0 | 2 | 14.14 | 0.06 |
附件1:可選配置表
空間光共振相位調(diào)制器 | 可選配置 | ||||
產(chǎn)品名稱 | 調(diào)制形式 | 類型 | 共振頻率f0@24℃ | 波長 | 預留可選配置 |
EO: "電光調(diào)制器" | P:相位調(diào)制器 | R:共振 | 3:3.07GHz | C:650-1100nm | |
附件2:型號貨號對照表
型號 | 貨號 | 規(guī)格 |
EOPR3C | 空間光共振相位調(diào)制器,650-1100nm,共振型,共振頻率f0@24℃:3.07GHz,品質(zhì)因子Q:473,通光孔徑:1mm |