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EOPR3C空間光共振相位調(diào)制器


覆蓋波長650nm到紅外波長1100nm;高光功率密度損傷閾值:~3W/mm2@780nm

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產(chǎn)品總覽

電光相位調(diào)制器(EOP),按照驅(qū)動頻率可分為高頻和低頻兩類:低頻型號廣泛應用于PDH穩(wěn)頻等低頻調(diào)制需求;高頻型號適用于量子物理和原子分子物理實驗等場景。我們的電光調(diào)制器具有優(yōu)秀的性能和可靠性,可廣泛應用于科學研究、工程應用和工業(yè)生產(chǎn)中,為客戶提供高效、可靠的光學解決方案。


通用參數(shù)

產(chǎn)品特點:

寬帶寬范圍:高頻型號微波頻率帶寬約35MHz,低頻型號帶寬約中心頻率/10

高微波品質(zhì)因子:Q值大于200

低驅(qū)動電壓:微波驅(qū)動功率低,1rad所需微波功率典型值約23~27dBm

覆蓋波長:覆蓋紫外波長369nm到紅外波長1550nm

高光功率密度損傷閾值:~3W/mm2@780nm

高線性度:具有優(yōu)異的線性度和穩(wěn)定性,保證高質(zhì)量的信號調(diào)制

可定制化:支持定制化設計,滿足不同應用場景的需求

應用領(lǐng)域

激光干涉

光學頻率梳

激光穩(wěn)頻

原子冷卻

量子態(tài)控制

主要參數(shù)

參數(shù)

典型數(shù)值

單位

共振頻率f0@24℃

3.07

GHz

頻率帶寬Δf

6.5

MHz

品質(zhì)因子Q

473

/

1rad所需微波功率

34.4(±1)

dBm

Max. 微波功率

5

W

通光孔徑(直徑)

1

mm

波前畸變@633nm

λ/6

nm

Max. 光功率密度@370nm

3

W/mm2

增透膜波長

650-1100

nm

切角角度

5

degree

晶體類型

鈮酸鋰(LN)


尺寸圖

圖片12.png 

 

調(diào)制特性

 

β = 0.85 rad

功率P(dBm)

功率P(W)

電壓Vp(V)

β/U (rad/V)

λ1=935nm

33.0

2

14.14

0.06

 

 

附件1:可選配置表

 

空間光共振相位調(diào)制器

可選配置

產(chǎn)品名稱

調(diào)制形式

類型

共振頻率f0@24℃

波長

預留可選配置

EO: "電光調(diào)制器"

P:相位調(diào)制器

R:共振

3:3.07GHz

C:650-1100nm














附件2:型號貨號對照表

型號

貨號

規(guī)格

EOPR3C


空間光共振相位調(diào)制器,650-1100nm,共振型,共振頻率f0@24℃:3.07GHz,品質(zhì)因子Q:473,通光孔徑:1mm






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