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IR拋光硅(Si)ATR 梯形棱鏡 (衰減全反射) 80 x 10 x 4mm


透射范圍:1.2-15μm;折射率:3.4223 @5μm; 反射損耗:46.2%(5μm)(2個表面); 吸收系數(shù):0.01cm^-1 at 3μm;尺寸:80 x 10 x 4mm ;45°ATR棱鏡;

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貨號 : A80161221    
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產(chǎn)品總覽

光學級硅通常規(guī)定為具有5至40ohm-cm的電阻率,其電阻率比大多數(shù)半導(dǎo)體的都高。 非常高的電阻率材料可客戶定制,te別是對于TeraHertz應(yīng)用。通常的材料為CZ,其在9μm具有Si-O吸收帶,因此如果在3至5μm光譜帶中使用該窗口,則此性質(zhì)不重要。 如果需要FZ,可以提供沒有這種吸收的浮區(qū)材料。

硅主要用作3至5um波段的光學窗口并用作光學濾波器的制片基底。 具有拋光面的大塊硅也用作物理實驗中的中子靶。

硅通過Czochralski拉伸技術(shù)(CZ)生長并且包含一些導(dǎo)致9um的吸收帶的氧。 為了避免這種情況,硅可以通過浮區(qū)(FZ)工藝制備。 光學硅通常輕摻雜(5~40 Ohm cm),以在10um以上的波段最jia透射。 硅具有30至100um的另一通帶,其僅在非常高電阻率的未補償材料中有效。 摻雜通常是硼(p型)和磷(n型)。


通用參數(shù)

透射范圍:

1.2-15μm

折射率:

3.4223 @5μm

反射損耗:

46.2% @5μm(2個表面)

吸收系數(shù):

0.01cm -1 at 3μm

吸收峰:

n / a

dn / dT:

160×10-6 /℃

dn /dμ= 0:

10.4μm

密度:

2.33g / cc

熔點:

1420℃

熱導(dǎo)率:

273.3W m-1 K-1

熱膨脹:

2.6×10 -6 /℃ at 20℃

硬度:

Knoop 1150

比熱容:

703JKg-1K-1

介電常數(shù):

13 at 10GHz

楊氏模量(E):

131GPa

剪切模量(G):

79.9GPa

體積模量(K):

102GPa

彈性系數(shù):

C11 = 167; C12 = 65; C44 = 80

表觀彈性極限:

124.1MPa(18000 psi)

泊松比:

0.266

溶解性:

不溶于水

分子量:

28.09

類別/結(jié)構(gòu):

立方鉆,F(xiàn)d3m (Cubic diamond, Fd3m)


折射率:(No = Ordinary Ray 普通射線)

μm

No

μm

No

μm

No

1.357

3.4975

1.367

3.4962

1.395

3.4929

1.5295

3.4795

1.660

3.4696

1.709

3.4664

1.813

3.4608

1.970

3.4537

2.153

3.4476

2.325

3.4430

2.714

3.4358

3.000

3.4320

3.303

3.430

3.500

3.4284

4.000

3.4257

4.258

3.4245

4.500

3.4236

5.000

3.4223

5.500

3.4213

6.000

3.4202

6.500

3.4195

7.000

3.4189

7.500

3.4186

8.000

3.4184

8.500

3.4182

10.00

3.4179

10.50

3.4178

11.04

3.4176







2016120109393109 (1).jpg


產(chǎn)品型號1: SICZPRISM52-20-2-45

IR Polished Silicon (Si) ATR prism (Attenuated Total Reflection)
52 x 20 x 2mm 45° ATR prism.
梯形



2016121421420235.png


產(chǎn)品型號2: SICZPRISM80-10-4-45

2016121421360670.jpg

IR Polished Silicon (Si) ATR prism (Attenuated Total Reflection)
80 x 10 x 4mm 45° ATR prism.
梯形



2016121421421075.png


其它型號
  名稱 型號貨號         價格
IR拋光硅(Si)ATR 梯形棱鏡 (衰減全反射)52 x 20 x 2mm A80161222
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