780-HP 摻鍺(Ge)單模光纖 780-970nm 4.4:125um.pdf
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纖芯/包層直徑：4.4/125um；工作波長：780-970nm；NA；0.13；模場直徑：5.0 ± 0.5 μm @ 850 nm
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780-HP高性能選擇截止波長單模光纖是針對近紅外光進行優(yōu)化設計的特種單模光纖，用來滿足光纖耦合器制作，半導體激光器尾纖以及近紅外連續(xù)譜傳輸?shù)忍囟ǖ男枰取? 該光纖在一致性，纖芯/包層同心度等指標上具有更加優(yōu)越的性能和比業(yè)界標準更為嚴格的指標，還在二階模式截止波長方面具有更為嚴格的誤差范圍，和目前其它好的相應的單模光纖相比，780-HP光纖的強度測試水平超過200kpsi,從而能夠提高器件的可靠性，嚴格的技術指標性能保證能夠幫助器件生產(chǎn)商提高產(chǎn)品的良率，節(jié)約成本。
主要特性:
非常出色的光纖截面以及幾何尺寸控制-提升光纖在連接器制作和耦合方面的性能。
極其嚴格的二階模式截止波長公差控制-增強光纖器件的重復生產(chǎn)能力，一致性出色。
更高的強度測試水平-保證光纖在彎曲情況下應用中有更好的可靠性。
應用領域:
激光二極管尾纖
光纖耦合器
近紅外光譜傳輸
參數(shù) | 單位 | 指標 |
型號 | 780-HP | |
工作波長（一般情況下） | nm | 780-970 |
MFD @ 850nm（1/e2 fit-近場） | um | 5.0±0.5 |
二階模式截止波長 | nm | 730±30 |
衰減 @ 780nm (一般情況下) | dB/km | 4 |
衰減 @ 850nm | dB/km | < 3.5 |
數(shù)值孔徑 （NA） | 0.13 | |
彎曲損耗 (780nm, 100圈,13mm半徑) | dB | 0.001 |
彎曲半徑（@780nm,每100turns損耗0.05dB）普通情況下 | Less than LTBR | |
包層直徑 | um | 125±1.5 |
涂覆層直徑 | um | 245±15 |
纖芯/包層同心度偏差 | um | ≤0.5 |
包層/涂覆層偏差 | um | ≤5 |
強度測試水平 | kpsi | ≥200 (1.4GN/m2) |
涂覆層材料 | UV Cured Dual Acrylate | |
工作溫度 | ℃ | -55 ~ +85 |
短期彎曲半徑 | mm | ≥6 |
長期彎曲半徑 | mm | ≥13 |
光纖結構圖：
連接器
二極管尾纖
卓越的光纖幾何公差-改進的連接和耦合性能
極為嚴格的第二模式截止公差-增強組件再現(xiàn)性
更高的驗證測試級別-更高的可靠性適用于緊密彎曲應用
| 光學參數(shù) | |
| 型號 | 780-HP |
| 工作波長 | 780 – 970 nm |
| Core NA | 0.130 |
| 模場直徑（高斯) | 5.0 ± 0.5 μm @ 850 nm |
| Cutoff | 730 ± 30 nm |
| 纖芯衰減 | ≤ 3.5 dB/km @ 850 nm ≤ 4.0 dB/km @ 780 nm |
| 幾何和機械規(guī)范 | |
Cladding Diameter 包層直徑 | 125.0 ± 1.0 μm |
| 纖芯直徑 | 4.4 μm |
| 涂層直徑 | 245.0 ± 15.0 μm |
| 同心率 | < 5.0 μm |
| 芯/覆層偏移 | ≤ 0.50 μm |
| 涂層材料 | Acrylate 丙烯酸酯 |
| 工作溫度范圍 | -55 to 85 °C |
短期彎曲半徑 | ≥ 6 mm |
長期彎曲半徑 | ≥ 13 mm |
Prooftest Level 驗證測試級別 | ≥ 200 kpsi (1.4 GN/m2) |
營業(yè)執(zhí)照