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首頁(yè)/ 產(chǎn)品中心 / 光源 / SLD光源(超輻射發(fā)光二極管SLED)/ 840nm SLD激光器 Anritsu

EOT 太赫茲 VCSEL 光纖定制橫河光譜儀 TDLAS EDFA 觀察鏡干涉儀超快激光器中紅外相機(jī) 光束質(zhì)量分析儀光譜分析 TDLAS

840nm SLD激光二極管 Anritsu

中心波長(zhǎng)840nm；光功率：5mW；光譜寬度：50nm

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Anritsu SLD激光器 840nm.pdf

產(chǎn)品總覽

SLD（超輻射發(fā)光二極管/SLED）光源提供與激光二極管等效的輸出功率和與LED（發(fā)光二極管）等效的寬振蕩光譜寬度，以及低相干度。由于它發(fā)射的光具有相當(dāng)于激光二極管的窄有源層，因此非常適合進(jìn)入光纖，并且具有介于LD和LED之間的特性。AS8B系列是為光學(xué)相干層析成像（OCT）光源和非相干光學(xué)測(cè)量設(shè)備開(kāi)發(fā)的超發(fā)光二極管（SLD）模塊。

通用參數(shù)

特點(diǎn)

光纖輸出功率高

2 mW（如果IF￡120 mA）AS8B112G230M（Δλ：14 nm）

5 mW（如果IF￡150 mA）AS8B115G230M（Δλ：14 nm）

5 mW（如果IF￡180 mA）AS8B115L240M（Δλ：50 nm）

尾纖：SMF（Φ0.9 mm：尼龍涂層）

FC-APC連接器

14針蝶形組件

監(jiān)視器PD和TEC（熱電冷卻器）內(nèi)置在組件中

低功耗

應(yīng)用

光學(xué)相干層析成像（OCT）

光學(xué)傳感系統(tǒng)光源

尺寸

吸收Max. 額定值

Item	符號(hào)	Rating			單位
Item	符號(hào)	AS8B112G230M	AS8B115G230M	AS8B115L240M	單位
輸出功率	P_f	2.5	6.0	7.0	mW
SLD正向電流	I_F	180	220	220	mA
SLD反向電壓	V_R	2.0			V
PD反向電壓	V_RD	20			V
外殼工作溫度	T_C	-20 to 70			°C
存儲(chǔ)溫度	T_stg	-40 to 85			°C
TEC電流	I_C	2.0			A

注：超過(guò)jue對(duì)Max. 額定值可能導(dǎo)致故障。

光纖特性

參數(shù)	Min.	Typ.	Max.	單位
截止波長(zhǎng)	700	730	760	nm
模場(chǎng)直徑 @850nm	4.5	5.0	5.5	μm
包層直徑	123.5	125	126.5	μm
涂覆層直徑	850	-	950	μm
光纖彎曲半徑	13	-	-	mm

光學(xué)特性（T_SLD＝25°C、T_C＝25°C）

參數(shù)	Symbol	AS8B112G230M			AS8B115G230M			AS8B115L240M			單位
參數(shù)	Symbol	Min.	Typ.	Max.	Min.	Typ.	Max.	Min.	Typ.	Max.	單位
輸出功率	P_f	2.0	-	-	5.0	-	-	5.0	-	-	mW
正向電壓	V_F	-	2.0	2.5	-	2.0	2.5	-	2.0	2.5	V
正向電流（BOL)	I_F	-	-	120	-	-	150	-	150	180	mA
中心波長(zhǎng)	λ_C	810	830	850	810	830	850	820	840	860	nm
光譜寬度	Δλ	10	14	-	10	14	-	45	50	-	nm
監(jiān)測(cè)電流	I_m	0.2	-	-	0.2	-	-	0.05	-	2.0	mA

注1：每個(gè)值在額定輸出功率下指Ding。

注2：監(jiān)視器電流測(cè)量條件（V_R=5 V）。

電氣特性

參數(shù)	符號(hào)	條件	Min.	Typ.	Max.	單位
PD 暗電流	I_d	V_R=5 V	-	-	0.1	μA
追蹤誤差	ΔPf	I_m=const, T_c=-20 to 70°C	-1.0	-	1.0	dB
冷卻電壓	V_C	I_F=*EOL, T_c=70°C	-	-	2.5	V
冷卻電流	I_C	I_F=*EOL, T_c=70°C	-	-	1.0	A
熱敏電阻	R_th	T_LD=25°C, B=3900±100K	9.5	10.0	10.5	kΩ