產(chǎn)品文檔
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響應(yīng)波長(zhǎng)范圍1.7-5.8μm；峰值波長(zhǎng)4±0.3μm；探測(cè)率~9.0×109cm·Hz1/2/W@4μm；光敏面大小0.1X0.1mm；
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| 貨號(hào) : E80040154 | |
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PVAS-2TE-5-0.1X0.1-TO8-wAl2O3-70是II型超晶格兩級(jí)熱電冷卻紅外光伏探測(cè)器，具有優(yōu)良的參數(shù)。3°楔形藍(lán)寶石窗口(wAl2O3)防止不必要的干擾效應(yīng)。該探測(cè)器不含汞和鎘，符合RoHS指標(biāo)。
產(chǎn)品特點(diǎn)
● 光譜范圍為1.7 ~ 5.8 μm
● 高響應(yīng)度
● 好的線性度
● 不需要偏差
● 無1/f噪聲
產(chǎn)品應(yīng)用
● 中紅外激光探測(cè)
● 中紅外氣體分析
參數(shù) | 探測(cè)器型號(hào) |
PVAS-2TE-5-0.1×0.1-TO8-wAl2O3-70 | |
有源元件材料 | 外延超晶格異質(zhì)結(jié)構(gòu) |
起始波長(zhǎng)λcut-on (10%), μm | 1.7±0.2 |
峰值波長(zhǎng)λpeak, μm | 4.0±0.3 |
截止波長(zhǎng)λcut-off (10%), μm | 5.8±0.2 |
探測(cè)效率D* (λpeak),cm·Hz1/2/W | ~9.0×109 |
電流響應(yīng)度Ri(λpeak),A/W | ~1.4 |
時(shí)間常數(shù)T，ns | ~4 |
電阻R,Ω | ~5k |
工作溫度Tdet,K | ～230 |
感光面尺寸A,mm×mm | 0.1×0.1 |
包裝 | TO8 |
接收角 | ～70° |
窗口 | wAl2O3 |
電流響應(yīng)度特性曲線（230K）
探測(cè)效率特性曲線（230K）
熱敏電阻特性曲線
兩級(jí)TE冷卻參數(shù)表
參量 | 數(shù)值 |
Tdet , K | ~230 |
Vmax , V | 1.3 |
Imax , A | 1.2 |
Qmax , W | 0.36 |
輸入功率與輸出電流線性度曲線（TBB—黑體溫度）
封裝及尺寸
TO8型封裝外形尺寸圖
2TE-TO8引腳定義
功能 | PIN號(hào) |
探測(cè)器 | 1,3 |
反向偏壓（可選） | 1（-）,3（+） |
熱敏電阻 | 7,9 |
TE冷卻器供應(yīng) | 2（+），8（-） |
底板接地 | 11 |
未使用 | 4，5，6，10，12 |
使用和儲(chǔ)存注意事項(xiàng)
1、散熱2TE冷卻器產(chǎn)生的熱量，需要有~2 K/W的熱阻散熱器。
2、工作環(huán)境濕度為10% ~ 80%，環(huán)境溫度為-20℃~ 30℃。
3、功率限制：連續(xù)波或單脈沖輻照度大于1 μs時(shí)，對(duì)視光學(xué)有源區(qū)域的輻照度不得超過100 W/cm2；小于1 μs的脈沖輻照度不能超過1 MW/cm2。
4、儲(chǔ)存于濕度為10%至90%，環(huán)境溫度為-20℃至50℃的黑暗處。
InAs/InAsSb T2SL 光電導(dǎo)探測(cè)器 – (工程樣品)
| 型號(hào) | 冷卻 | 浸沒 | 截止波長(zhǎng) um | 峰值波長(zhǎng) um | 探測(cè)能力 cm·Hz1/2/W | 時(shí)間常數(shù) |
| PCAS-2TE-9-0.1×0.1-TO8-wZnSeAR-70 | 2TE | 無 | 11.0±0.3 | 6.2±0.3 | ～2.8×10 | ~12ns |
| PCAS-2TE-9-1×1AR-TO8-wZnSeAR-70 | 2TE | 無 | 11.0±0.5 | 4.0±0.5 | ～2.6×10 | ~17ns |
| PCAS-3TE-9-0.1×0.1-TO8-wZnSeAR-70 | 3TE | 無 | 10.5±0.3 | 6.1±0.3 | ～4.3×10 | ~17ns |
| PCAS-2TE-11-0.1×0.1-TO8-wZnSeAR-70 | 2TE | 無 | 12.0±0.3 | 6.0±0.3 | ～1.9×10 | ~7ns |
| PCAS-3TE-12-0.1×0.1-TO8-wZnSeAR-70 | 3TE | 無 | 14.4±0.3 | 10.5±0.3 | ～2.5×10 | ~4ns |
| PCIAS-3TE-12-1×1-TO8-wZnSeAR-36 | 3TE | 是的 | 12.0±0.3 | 8.0±1.0 | ～2.0×10 | ~4ns |
| PCAS-2TE-13-0.1×0.1-TO8-wZnSeAR-70 | 3TE | 無 | 15.0±0.3 | 10.7±0.3 | ～1.2×10 | ~3ns |
InAs/InAsSb T2SL 光伏探測(cè)器 – (工程樣品)
| 型號(hào) | 冷卻 | 浸沒 | 截止波長(zhǎng) um | 峰值波長(zhǎng) um | 探測(cè)能力 cm·Hz1/2/W | 時(shí)間常數(shù) |
| PVAS-5-0.1×0.1-TO39-NW-90 | 無 | 無 | 6.2±0.2 | 4.2±0.3 | ～1.2×10 | ~11ns |
| PVAS-2TE-5-0.1×0.1-TO8-wAl2O3-70 | 2TE | 無 | 5.8±0.2 | 4.0±0.3 | ~9.0×10 | ~4ns |
| 名稱 | 型號(hào)貨號(hào) | 描述 | 參數(shù) | 價(jià)格 |
|---|
營(yíng)業(yè)執(zhí)照
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