AGSe 硒鎵銀（AgGaSe2）NIR-IR近紅外非線性晶體.pdf
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透光率；0.76 – 18 μm；單軸負(fù)晶：no > ne (at λ < 0.804 μm ne > no)；非線性系數(shù)； pm/V：d36 = 39.5 @10.6 μm ；對(duì)稱度：四方晶系， -42m point group
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AgGaSe2晶體,中文名硒鎵銀晶體,簡(jiǎn)稱AGSe晶體。中紅外激光倍頻有效的晶體材料，對(duì)中紅外激光的倍頻效率高,是有效的非線性激光晶體之一.還同時(shí)具有三波非線性作用(OPO)的優(yōu)良性能。 'AGSe晶體透光范圍為0.73-18μm,AgGaSe2晶體可用波段位于0.9-16μm。采用目前成熟的激光泵浦，AGSe晶體的OPO呈現(xiàn)寬闊的紅外可調(diào)諧性能。用Ho:YLF2.05μm泵浦AgGaSe2晶體獲得2.5-12μmOPO調(diào)諧光源;用1.4-1.55um調(diào)諧光源泵浦的非臨界相位匹配OPO輸出1.9-5.5um調(diào)諧光源;早在1982年,就已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了脈沖CO2激光的有效倍頻;上述系統(tǒng)的輸出波段還可以用和頻或差頻混頻的方法(SF/DFM)予以擴(kuò)充。
AGSe晶體可用于光學(xué)參量放大和光學(xué)參量振蕩以及差頻產(chǎn)生，應(yīng)用波長(zhǎng)可達(dá)到中紅外的17 μm。
主要特性
復(fù)合物 | AgGaSe2 | |
透光率, μm | 0.76 – 18 | |
單軸負(fù)晶 | no > ne (at λ < 0.804 μm ne > no) | |
非線性系數(shù), pm/V | d36 = 39.5 @10.6 μm | |
對(duì)稱度 | 四方晶系, -42m point group | |
典型反射系數(shù) | 10.6 μm 5.3 μm | no=2.5915, ne=2.5582 no=2.6138, ne=2.5811 |
光學(xué)損壞閾值, MW/cm2 | 2000 nm | 13 |
離散角, ° | 5.3 μm | 0.68 |
熱導(dǎo)系數(shù) k, WM/M°C | 1.1 | |
頻帶隙能量, eV | 1.8 | |
光活度 ρ = 7deg/mm 在各向同性點(diǎn), μm | n0= ne, λ = 0.804 | |
光學(xué)元件參數(shù)
定位精度, arc min | < 30 | |
平行度, arc sec | < 40 | |
平面度 | 546 nm | λ/4 |
表面質(zhì)量, scratch/dig | 30/20 | |
應(yīng)用
有效中紅外輻射二次諧波的產(chǎn)生
各向同性點(diǎn)附近區(qū)域的光學(xué)窄帶濾波器(300 K時(shí)為0.804 μm)
對(duì)于所有晶體，我們能夠?yàn)樘囟☉?yīng)用提供合適的防反射/保護(hù)涂層，以及反射率曲線。
| 名稱 | 型號(hào)貨號(hào) | 描述 | 價(jià)格 |
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營(yíng)業(yè)執(zhí)照