795nm帶制冷VCSEL激光二極管.pdf(?)
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795nm帶致冷TO型VCSEL是一種垂直發(fā)射的MOVPE生長的砷化鎵單模二極管激光器。芯片為TO封裝。內(nèi)置TEC，可通過激光電流和溫度調(diào)諧來實現(xiàn)波長調(diào)諧。專為為TDLAS打造。
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795nm帶致冷TO型VCSEL是一種垂直發(fā)射的MOVPE生長的砷化鎵單模二極管激光器。芯片為TO封裝。內(nèi)置TEC，可通過激光電流和溫度調(diào)諧來實現(xiàn)波長調(diào)諧。專為為TDLAS打造。
產(chǎn)品描述：
795nm帶致冷TO型VCSEL是一種垂直發(fā)射的MOVPE生長的砷化鎵單模二極管激光器。芯片為TO封裝。內(nèi)置TEC，可通過激光電流和溫度調(diào)諧來實現(xiàn)波長調(diào)諧。專為為TDLAS打造。
特點：
芯片技術(shù)：砷化鎵VCSEL
紅外激光波長：795nm
輻射剖面：單模
ESD：靜電保護250V
應(yīng)用：
原子鐘
磁力計
產(chǎn)品關(guān)鍵指標：
（熱沉溫度TSubmount=90℃，環(huán)境溫度TAmbient=25±5℃）
參數(shù) | 符號 | 單位 | Min. 值 | 典型值 | Max. 值 | 備注 |
閾值電流 | Ith | mA | - | - | 1 | CW |
出光功率 | POUT | mW | 0.1 | - | - | CW，IFLD=1.4mA |
斜率效率 | SE | mW/mA | - | 0.2 | - | CW，IFLD=Ith~2mA |
峰值波長 | λP | nm | - | 795 | - | CW，IFLD=1.4mA |
邊模抑制比 | SMSR | dB | 20 | - | - | CW，IFLD=1.4mA |
峰值波長溫度漂移系數(shù) | ?λP/?TSubmount | nm/℃ | - | 0.055 | - | CW，IFLD=1.4mA，TSubmount=80~100℃ |
峰值波長電流漂移系數(shù) | ?λP/?IFLD | nm/mA | - | 0.3 | - | CW，IFLD=Ith~2mA |
極限參數(shù)（TAmbient=25±5℃）
參數(shù) | 符號 | 單位 | Min. 值 | Max. 值 |
TEC工作電流 | ITEC | A | - | 0.46 |
TEC工作電壓 | VTEC | V | - | 1.85 |
光譜
激光功率測試曲線
驅(qū)動電壓
封裝尺寸及引腳定義（單位：mm，未注公差：±0.3）
Pin# | 功能 |
1# | Case |
2# | Rth |
3# | TEC+ |
4# | VCSEL+ |
5# | TEC- |
6# | VCSEL-/Rth |
注意事項
l 本產(chǎn)品工作時有激光出射，嚴禁激光照射人體任何部位；
l 本產(chǎn)品為靜電敏感器件，請在靜電保護區(qū)域操作使用，并確保使用時與器件直接接觸的工具已經(jīng)規(guī)范接地；不當?shù)牟僮骱褪褂脮Ξa(chǎn)品造成**性、不可逆的損傷；
l 本產(chǎn)品帶有光學(xué)窗口，使用及存儲時請謹慎操作，避免光學(xué)窗口臟污、破損。
營業(yè)執(zhí)照